米IBMは5月6日、世界で初めて300mmウェーハ上において2nmプロセスチップを生み出したと発表した。同社のナノシート技術を使用することにより、ブレークスルーを達成したという。現時点の最先端プロセスとなる7nmノードチップと比較しても、約45％の性能向上、あるいは同じ性能レベルでの約75％の電力削減を達成可能になるとしている。スマートフォンのバッテリー寿命の延長やデータセンターの二酸化炭素排出量を削減などにつながる可能性があるとしている（IBMリリース、公式動画、ZDnet、PC Watch）。