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48層ということは単純に考えてCVDなどの成膜工程が48回以上必要な化け物プロセスということそれだけのコストをかけて商売として成り立つ歩留まりを得られるラインを作れる・保有できるメーカーは数が限られてる業界のごく一部のプレーヤーしか恩恵にあずかることが出来ないという意味では、ムーアの法則はもう破綻している
3D NANDの多層構造はCVDで積層してるっぽいけど、積層膜にはほとんどプロセス形成せずに板電極と絶縁膜として利用して、シリコン貫通ビア(TSV)を巻き寿司状の構造にしてフラッシュメモリを形成してるみたい。
なので、積層そのものは意外とコスト押し上げ要因になってないと思う。問題は特殊なTSVをうまく形成できるかどうかって感じの気がする。
参考: メモリの大革命 3次元NANDフラッシュ [success-int.co.jp]
CVDは複数ウェハを一気に処理できるし安い行程なんですよね。高いのはホトリソ。
3DNANDの場合は、現状40nm程度で二重露光もパターンアシストも必要ないし、リソグラフィは高くないよ。必要なのはアスペクト比の高い穴開けの技術。おかげで重要な装置が変わって、装置メーカーの地殻変動が起きてる。
あ、すみません。リソコストが高いのはプレーナーNANDでその問題を3Dは解決したって言いたかったんです。
積層と穴の形成の話をしてるときに、「高いのはホトリソ。」ここから正反対の意図を読み取れってのは、エスパーにも難しいなぁ。
エスパーならわかるだろw
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アレゲはアレゲを呼ぶ -- ある傍観者
化け物プロセス (スコア:1)
48層ということは単純に考えてCVDなどの成膜工程が48回以上必要な化け物プロセスということ
それだけのコストをかけて商売として成り立つ歩留まりを得られるラインを作れる・保有できるメーカーは数が限られてる
業界のごく一部のプレーヤーしか恩恵にあずかることが出来ないという意味では、ムーアの法則はもう破綻している
Re: (スコア:2)
3D NANDの多層構造はCVDで積層してるっぽいけど、積層膜にはほとんどプロセス形成せずに板電極と絶縁膜として利用して、
シリコン貫通ビア(TSV)を巻き寿司状の構造にしてフラッシュメモリを形成してるみたい。
なので、積層そのものは意外とコスト押し上げ要因になってないと思う。問題は特殊なTSVをうまく形成できるかどうかって感じの気がする。
参考: メモリの大革命 3次元NANDフラッシュ [success-int.co.jp]
Re:化け物プロセス (スコア:1)
CVDは複数ウェハを一気に処理できるし安い行程なんですよね。
高いのはホトリソ。
-- 風は東京に吹いているか
Re: (スコア:0)
3DNANDの場合は、現状40nm程度で二重露光もパターンアシストも必要ないし、リソグラフィは高くないよ。
必要なのはアスペクト比の高い穴開けの技術。
おかげで重要な装置が変わって、装置メーカーの地殻変動が起きてる。
Re:化け物プロセス (スコア:1)
あ、すみません。
リソコストが高いのはプレーナーNANDで
その問題を3Dは解決したって言いたかったんです。
-- 風は東京に吹いているか
Re: (スコア:0)
積層と穴の形成の話をしてるときに、「高いのはホトリソ。」
ここから正反対の意図を読み取れってのは、エスパーにも難しいなぁ。
Re: (スコア:0)
エスパーならわかるだろw