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テクノロジー

東芝が48層構造を持つメモリ半導体「3次元フラッシュメモリ」を開発 58

ストーリー by hylom
HDDの容量を超える日はいつ 部門より
あるAnonymous Coward 曰く、

東芝が48層積層プロセスを用いた、世界初という容量256Gbの「3次元フラッシュメモリ」を開発したと発表した(産経新聞)。

1チップで256Gb(=32GB)を実現したほか、書き込む速度の高速化や高寿命化なども計られているという。

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  • 詳しい情報 (スコア:4, 興味深い)

    by Anonymous Coward on 2015年08月08日 8時18分 (#2860866)

    某サイトで詳しい記事が出てました。
    なかなか良さげですが、しばらくはお手ごろ価格で自作市場に出回るなんてことはなさそうですかね。2016年後半位には出てきて欲しいです。

    【東芝】48層積層プロセスを用いた256GbitのFlashメモリ―BiCS Flash
    東芝はBiCS Flashと呼ばれる3次元積層構造をとるFlashメモリを発表した。今回発表されたBiCS Flashは48層で256Gbit(32GB)を実現し、3-bit-per-cell (Triple-level cell, TLC) technologyを採用する。サンプルの出荷開始は9月である。
    BiCS Flashは最先端の48層積層プロセスで、主流の2次元NAND Flashメモリから大幅な容量増加を実現し、Read/Erace reliability enduarance (書き込み・消去の信頼耐久性) の向上と、書き込みの高速化が図られている。
    BiCS Flash technologyの試作品は2007年1月に発表されており、以降東芝は大量生産に向けて開発を続けてきた。そして2016年やそれ以降のFlashメモリ市場の成長を見込み、東芝は積極的にBiCS Flashの成熟に努めてきた。BiCS Flashの大量生産は現在NAND Flashの生産拠点ともなっている四日市の新しいFab―Fab 2での準備が行われている。Fab 2は2016年上半期に完成予定である。

    某サイトの元ネタサイト
    http://www.techpowerup.com/214895/toshiba-unveils-256-gigabit-48-layer... [techpowerup.com]
    http://www.guru3d.com/news-story/toshiba-256-gigabit-3d-tlc-nand-chip-... [guru3d.com]

    # 某サイトは2chからのリンクはしないでほしいと言う方針らしいので、似たようなもんなsradも辞めといた方が良いかと思って転載
    # リンク禁止、転載OKってポリシーも珍しいですね。某サイトを見たい人はタイトルでググって下さい

    ついでに同じサイトからもう一つ東芝のFlashメモリについて

    【東芝】TSV technologyを用いて16段積層としたNAND Flashメモリを開発
    東芝は8月6日、TSV technologyをもちいて最大16段積層としたNANDフラッシュメモリの開発を発表した。
    試作品の展示は8月11日から13日にサンタクララで行われるFlash Memory Summit 2015で行われる。
    先日は48段積層プロセスを用いたFlashメモリとなる256GbitのBiCS Flashが発表されましたが、今回開発が発表されたのは16段積層のNAND Flashメモリとなりますどちらも積層技術を用いたFlashメモリなので、時に混同するかもしれない)。
    今回の16段積層NAND Flashでは縦方向のシリコンダイを貫通して接続するTSV technologyを使用したことが強調されています。このTSV technologyによりデータ入出力速度の向上(1Gbps以上を実現したとしている)と、駆動電圧の低減(コア電圧で1.8V、I/O電源で1.2Vとし、従来製品で50%の消費電力を実現したとしている)を図れるとプレスリリースで述べています。

    某サイトの元ネタサイト
    http://www.techpowerup.com/214997/toshiba-develops-first-16-die-stacke... [techpowerup.com]
    http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20150806_715446.html [impress.co.jp]
    http://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2015/08... [semicon-storage.com]

    • by Anonymous Coward

      リンクされるとサーバーが負荷で死ぬからやめてくれということでは?

      • by Anonymous Coward

        2chにリンクを張られ、そこから来たユーザーが2chのノリでコメント合戦したり管理人を誹謗中傷するような事になるのが手に余るとのこと

        • by Anonymous Coward

          なるほど、スラドから来たユーザーにスラドのノリで誤字脱字をだらだらコメントされても嫌だろうしなァ

  • by Anonymous Coward on 2015年08月08日 8時11分 (#2860864)

    48層ということは単純に考えてCVDなどの成膜工程が48回以上必要な化け物プロセスということ
    それだけのコストをかけて商売として成り立つ歩留まりを得られるラインを作れる・保有できるメーカーは数が限られてる
    業界のごく一部のプレーヤーしか恩恵にあずかることが出来ないという意味では、ムーアの法則はもう破綻している

    • by t_mrc-ct (5292) on 2015年08月08日 10時37分 (#2860915) 日記

      3D NANDの多層構造はCVDで積層してるっぽいけど、積層膜にはほとんどプロセス形成せずに板電極と絶縁膜として利用して、
      シリコン貫通ビア(TSV)を巻き寿司状の構造にしてフラッシュメモリを形成してるみたい。

      なので、積層そのものは意外とコスト押し上げ要因になってないと思う。問題は特殊なTSVをうまく形成できるかどうかって感じの気がする。

      参考: メモリの大革命 3次元NANDフラッシュ [success-int.co.jp]

      親コメント
      • by kentok (41940) on 2015年08月09日 10時38分 (#2861316)

        CVDは複数ウェハを一気に処理できるし安い行程なんですよね。
        高いのはホトリソ。

        --
        -- 風は東京に吹いているか
        親コメント
        • by Anonymous Coward

          3DNANDの場合は、現状40nm程度で二重露光もパターンアシストも必要ないし、リソグラフィは高くないよ。
          必要なのはアスペクト比の高い穴開けの技術。
          おかげで重要な装置が変わって、装置メーカーの地殻変動が起きてる。

      • by Anonymous Coward

        シリコン貫通ビア(TSV; Through Silicon Via) は、複数のダイを貫通させてつなげるビアのこと。このメモリで使っているのは単なる貫通ビア、つまり同一ダイで複数層を貫通させてつなげるビア。
        TSV の方は、別々にダイを作って、数千個ぐらの穴を目づれなしに重ねて作るわけだから、すさまじく難しいと想像に難くない。

    • by Anonymous Coward on 2015年08月08日 9時34分 (#2860894)

      チップを48枚縦に重ねるもんだと思ってた。
      よくある積層は貫通ビア云々とかあるし。

      親コメント
    • by Anonymous Coward

      絶縁層と導電層を積むので、単純計算でも倍以上です

      • by Anonymous Coward

        絶縁層は導電層表面の熱酸化で形成出来ます(CVDは不要)

        • by Anonymous Coward

          上層は普通はCVDですよ
          酸化するのはゲート酸化膜

    • by Anonymous Coward

      > 業界のごく一部のプレーヤーしか恩恵にあずかることが出来ないという意味では、ムーアの法則はもう破綻している

      恩恵があるかどうかはムーアの法則とは関係ないです。Intel, TSMCは大いに恩恵を受けています。

      • by Anonymous Coward

        ムーアの法則は半導体業界全体についての指摘です。
        つまりインテルはそれ以上のペースを維持しますということ

        • by Anonymous Coward

          いや、ムーアはインテルの人だったんだから、インテルはこのペースを維持すべく頑張りますよという話だろう。
          実際半導体業界には、レースから脱落していったメーカーが死屍累々だ。

    • by Anonymous Coward

      > 業界のごく一部のプレーヤーしか恩恵にあずかることが出来ないという意味では、ムーアの法則はもう破綻している

      ムーアの法則ってコスト前提の話なんだから、↑のが事実ならそもそも該当するものではないでそ

  • by Anonymous Coward on 2015年08月08日 7時42分 (#2860861)

    画像の大きさ 5616 3744 って、
    ちょっとでかすぎんよ~

    • by Anonymous Coward

      東芝: 容量にあわせて画像サイズも大きくしてみました。2,432,560バイトです!

  • by Anonymous Coward on 2015年08月08日 9時32分 (#2860892)

    3月にサムスンガ32層、128Gbitを発表してたから、追随できないとやばいなと思ってた。
    しかし、こんなん実用化できるのかな。

    #明後日方向の痛いコメントはいらないのでよろしく

    • by Anonymous Coward

      SamsungのV-NANDは既に商品として出て来ているわけで、出来なければ負けて退場するだけです。

      • by Anonymous Coward

        どこも3D化は開発してて、どこでプレーナ型から切り替えるかは単純にコストの問題。
        微細化に行き詰まった会社は先に3Dを量産するし、微細化を続けられた会社は3D商品化が後になる。

        Samsungは10nm前半の微細化は無理と判断して、先に3Dを量産した。
        東芝の方が微細化できる技術が進んでたため、3D化が後になっただけ。
        昔はシェアトップのSamsungと2位の東芝に大きな差があったけど、直近ではほぼ同じ。
        1位が逆転するのも時間の問題と思える。

        • by kentok (41940) on 2015年08月09日 10時34分 (#2861314)

          これが間違いだということだけは
          断言しておきます^^

          --
          -- 風は東京に吹いているか
          親コメント
          • by Anonymous Coward

            親コメントに価値がないということだけは
            断言しておきます^^

            • by Anonymous Coward

              間違いを正すことに情報量はありますん

              • by Anonymous Coward

                まさに至言?
                間違いを正すことには情報量がある。
                間違いの中身を指摘せず、"間違い"とだけ書くことには情報量はない。

        • by Anonymous Coward

          思いっきり関係者なんで言えないけど、そんな簡単な話じゃないよ

          • by Anonymous Coward

            ACで語るか、IDで語らないなら意味が分かる。
            ACで語らないって、どういう価値があるので?

  • by Anonymous Coward on 2015年08月08日 15時39分 (#2861024)

    という掲示が明日まで科学技術館で行われています写真 [ascii.jp]
    ムーアの法則50周年展示と別の親子PC体験教室にあったものなので、明日まで………実物を見たい人は急いで!

    • by Anonymous Coward

      明日までなのは「親子PC体験教室」で、「ムーアの法則 50周年記念展示」はもちょっと永くやってんじゃないの?

      インテル、「ムーアの法則 50周年記念展示」を21日まで開催
      http://ascii.jp/elem/000/001/037/1037636/index-2.html [ascii.jp]
      > 8月7日〜9日の3日間、「親子PC体験教室」も実施

  • by Anonymous Coward on 2015年08月09日 7時05分 (#2861268)

    「サムスン超え、東芝世界一へ 3次元メモリー「48層」年内量産」(2015.3.25) [sankei.com]

    世界の記憶装置市場は今後、現在の10倍に膨らむ見通しで、東芝やサムスンは数年以内に
    容量1テラ(テラは1兆)バイト
    の3次元メモリーの開発を目指している。

    1テラビットだよなあ、ここは。
    新聞記者さんにとってはビットもバイトも大した違いはないという認識なのかもしれないけど。

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身近な人の偉大さは半減する -- あるアレゲ人

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