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テクノロジー

IntelとMicron、「革新的」な不揮発メモリ技術を開発したと発表 45

ストーリー by hylom
製品化も近い? 部門より
あるAnonymous Coward 曰く、

IntelとMicron TechnologyがNANDメモリと比べて高速性・耐久性は最大で1000倍、従来型メモリと比べ集積度が10倍以上という不揮発メモリ技術を発表したと発表した(ASCII.jpCNET Japan)。

この新技術「3D XPoint テクノロジー」と呼ばれている。XPointの名称に3Dが追加されたのは、3D構造の隅々までメモリセルが積層されたクロスポイントアーキテクチャに由来するそうだ。最初のバージョンは、2つのメモリ層に格納されたダイ当たり128Gbの容量で構成される予定。サンプル出荷は今年の後半を予定しているほか、両者はXPonitメモリー技術を用いた各種製品を開発中とのこと。

この議論は賞味期限が切れたので、アーカイブ化されています。 新たにコメントを付けることはできません。
  •  現在のOSって、遅くて大容量で不揮発な主記憶装置と、高速で低容量な揮発性の補助記憶装置を組み合わせて動作するようになっている。
     不揮発で高速で大容量なメモリがあるのなら、その構造にこだわる必要はないわけで、これまでとは相当違ったアーキテクチャのOSがあってもいい気がする。

     補助記憶装置をなくしてしまって主記憶装置の中で全部こなしてしまい、スリープ中も完全に電源落ちるとか、強制電源断されても電源再投入したら何事もなかったようにタスク再開するとか、そんな感じの一部の人にとって夢のOSとか作れたりしないものだろうか。

    • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 15時57分 (#2857903)

      ウイルスが入り込んで、電源を切ろうが再起動しようが
      駆除できないという未来が見えたのは私だけだろうか。

      親コメント
      • by Anonymous Coward
        現在も、電源切ったり再起動でウィルスの駆除をすることはできません。
      • by Anonymous Coward

        主記憶しかなくても、リカバリというオプションはあるでしょう。
        メモリリセットして、ストレージかクラウドからデータを読み込んで工場出荷状態またはバックアップした状態に戻す機能。

        リカバリなので時間はかかるでしょうけど、ウィルス入って駆除できなかった場合の話なんだから仕方ない。

        • by Anonymous Coward
          ああ、元コメの人はそういうことを心配してたのか。
          このコメントで分かりました。ありがとうございます。
    • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 17時41分 (#2857980)

      主記憶装置と補助記憶装置の説明が逆な気がする

      親コメント
    • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 21時54分 (#2858147)

      ちょっと宣伝に引っかかってやしませんか?
      タレコミには、速度・耐久度が1000倍、集積度が10倍とありますが、それぞれの比較対象を意図的に外してるのでしょうか。
      具体的には、NANDフラッシュに対して速度・耐久度が最大1000倍、DRAMに対して集積度が10倍です。

      一方、NANDフラッシュとDRAMを比べるとどうなるか。
      DRAMはNANDフラッシュに対して、速度で1000倍以上、書き換え寿命で10^10以上。
      現在DRAMが担ってる主記憶を置き換えるなら、同程度の、10^15を超える書き換え寿命がないと無理です。
      そのため、DRAMを置き換えるのではなく、当面はその間のSCM(Storage Class Memory)を目指してるようです。

      解説記事ではこれが一番参考になりました。
      Intel+Micronの会見1次情報の動画もあるので、興味がある方は合わせてどうぞ。
      http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150730_714157.html [impress.co.jp]

      親コメント
      • by Anonymous Coward

        そこで強誘電体メモリですよ。
        今後の半導体、ソフトウェアの技術動向により色々なオプションがあると思う。
        DRAMが消えるか、HDDが消えるか、あるいは双方とも盤石か...

        • by Anonymous Coward

          FeRAMはもう誰も見向きもしないような…
          破壊読み出しに加えて書き換え回数も足りないし、STT-MRAMに対して優位点がゼロ。
          DRAM代替だと、今のところSTT-MRAM以外の候補はないですね。

          • by Anonymous Coward

            一番の問題は「微細化できない」事だよ

    • by Anonymous Coward

      つ東芝のDynaBook J3100SS

       初代が最高の出来で、代を重ねるたびに残念になっていったような気がする。正常な進化の路は無かったのか?

      • by Anonymous Coward

        98ノートの追い上げが厳しかったのでは?

      • by Anonymous Coward

        東芝は今でも世界展開しているノート型PCメーカーですよ?
        (J-3100という変則AT互換アーキテクチャは残っていませんが)

        RAMドライブは私も重宝しましたが、今だと実用的サイズのRAMドライブを搭載するのはコストの点で難しいですし、それに当時はハートウェアが提供できる能力に対してOS(MS-DOS)が提供できるサービスが追従できていませんでしたが、今時ならDRAMの使い方はOSの一元管理に任せるのが正統な設計だと思います。

    • by Anonymous Coward

      電源を切ってもメモリ上のマルウェアが動き続ける悪夢のOS

      • by Anonymous Coward

        今回のメモリは電源切っても不揮発なだけで、電源なしで動くわけじゃないですからねぇ。
        電源切っても動き続けるなら、まさに悪夢。

    • by Anonymous Coward

      メイン640kb+HighMem384kb+スワップ4TBなDOSマシーンの夢を見た

  • http://m.pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150730_714157.html [impress.co.jp]
    SSDの上位互換としてキャッシュとかとして使われる感じですかね
    Readがssdとあまり変わらないってのが残念

  • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 13時25分 (#2857841)

    NANDでは集積度をこれ以上上げられなくて、HDDに追いつけない雰囲気でしたが、この技術だとどうでしょうね?
    いっそのこと、主記憶も置き換えて欲しいですか。

    • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 14時03分 (#2857862)

      これは、メインメモリ(DRAM)と SSD との間に置かれるメモリに使われる、と見られている。

      親コメント
      • by Anonymous Coward

        単価次第だけど、これで安くできるならHDD、SSDの後継と考えて良いのでは。
        さらに、もし十分なパフォーマンスが得られるなら、DRAMも廃止してこれ単体を採用する選択肢も出る。

        • コストが下がってくればDRAMもこの実装技術を利用してさらに大容量化というシナリオもあるかも。
          ビットあたりの素子数が少ないのがDRAMの強みですからね。(リフレッシュについてはしらん)

          --
          うじゃうじゃ
          親コメント
        • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 21時47分 (#2858143)

          発表された資料を細かく見ていくと
          (1)DRAMに比べると動作速度は遅く、読み出し速度はNANDフラッシュメモリとあまり変わらない
          (2)NANDフラッシュメモリに比べると記憶密度は低い
          (3)DRAMに比べると書き換え寿命は、はるかに短い
          http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150730_714157.html [impress.co.jp]
          だそうで、DRAMよりはとSSDとの間の階層のメモリー向けだろうと言う予測をしていますね。
          これが直接DRAMの置き換えになるということは無さそうで、この延長線上にある技術でも無理そうです。(書き換え寿命の問題)

          親コメント
    • by Anonymous Coward

      HDDもメモリも最近容量単価がちっとも下がらないどころか、上がってさえいるここ1・2年。
      正直つまんないので頑張って欲しいです。CPU,GPUもね。

      • by Anonymous Coward

        上がってるのって容量単価当たりの製造コストの増大じゃなくて
        円安になったことによる為替の影響で、
        業界の傾向じゃなくて日本ローカルの話ですよね

    • by Anonymous Coward
      NANDの方も各社3D化進めてますよ。
      • by Anonymous Coward

        NANDは死なない!何度だっt・・・いやなんでもないです

    • by Anonymous Coward

      単位体積あたりの記録密度なら、NAND Flashのほうが有利です。

      200GByteのmicroSDカードとか、
      http://gigazine.net/news/20150303-sandisk-ultra-microsdxc-200gb/ [gigazine.net]
      512GByteのmicroSDカードとか
      http://gigazine.net/news/20150605-512gb-microsd-card/ [gigazine.net]

      #まあ、コストは無視ということでw

      • by Anonymous Coward

        NAND の方が密度が高いのは確かだろうけど、microSD*C は何枚ものチップを重ねてるでしょ。

  • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 13時27分 (#2857844)

    このところ学会発表が途絶えてたそうだけど、製品化の準備に入る前にはありがちとか

  • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 14時18分 (#2857869)

    ゲームに使えばマップデータのロードが速くなりそうでかなり期待。
    まあ容量の値段次第ではあるけど。

    • by Anonymous Coward

      データベースに使えばメモリに乗り切らないデータのロードが速くなりそうでかなり期待。
      まあ容量の値段次第ではあるけど。

      • by Anonymous Coward

        普通にメモリーを追加したほうが、簡単じゃないの あるいは パーティション化(オラクル)するとか INDEXを追加するとか

      • by Anonymous Coward

        IBMのPowerSystemsって言うデータベースマシンのOSは、将来主記憶域と補助記憶域の性能差がなくなることを想定して、単一レベル記憶を採用してるんだけど、本領を発揮する時代が来たって感じだね。

  • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 17時04分 (#2857937)

    ウェハの一番おいしい基礎部分を配線パターンだけで消費する感じなんだが
    それでいいのだろうか?

    • by Anonymous Coward on 2015年08月03日 18時10分 (#2858002)
      CPUやDRAMに必要となるような高品質なトランジスターは基板表面にしか作れませんが、
      NANDはそれほどではなく、3D NANDなんかは柱状のシリコンの周りを取り囲むようについていたりします。
      さらに今回のメモリはトランジスタが必要無いということで、このような構造が可能なのだと理解しています。
      親コメント
    • ウェハに関してそういう言い方をするとゴーフレット [google.co.jp]で頭がいっぱいになるじゃないか。
      (この場合一番おいしいのは中間層だけど)

      親コメント
    • by Anonymous Coward

      半導体メモリ設計やってるけど、何言ってるのかさっぱりわからん

    • by Anonymous Coward

      3次元積層のデバイスは熱の問題が気になりますねっ。逃げ場がないので…。XPointだとTSV式の積層より遥かに蜜でしょぉし。特定の物理メモリエリアだけを頻繁に使うと、そこだけ断線したりして…。(´∀`)

      • by Anonymous Coward

        今のNANDフラッシュみたいにチップを何枚も重ねたら、下のチップは熱が逃げないし、
        上のチップは下から炙られるしで大変だろうけど、今回のやつなら何層積層したところで
        チップの厚みはたかがしれているから、熱がチップ内部にこもることはないんじゃないだろうか。

        • by Anonymous Coward

          狭いエリアで熱が大量に発生するから温度が急激に上がるんですよ。ダークシリコン問題とか言われてる奴。
          動作電圧の低下等トランジスタあたりの消費電力低下が高密度化ほど上手く進まず、
          普通の冷却ではとても追いつかないというか熱伝導的にも限界があるという状態。

          コレが原因でマルチコア化や一時的なターボブーストなんかの技術が必要になった。
          # ターボブーストは放熱能力的にはオーバクロックでも他の要素的には定格動作になるだけだとか

          メモリチップはCPUほど熱を出さないのかもしれないけど、それでも何倍も集積したら温度は上がる。

          • by Anonymous Coward

            FinFET にしても SOI、そして Gate-All-Around、Nano-Wire など、こらからのデハイスは放熱には悪い方向に行くのは必死ですね。今後は熱設計が大きな課題になるかも。

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