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新プロセッサの話題なのに動作クロック周波数が従来品からどのくらい上がったかという話が一つもない 時代は変わった
もう、トランジスタのスイッチング速度は上がらないでしょう。同じようなプロセス使っている限り。さあ、Intelよ、ブレークスルーを具現化して、AMDなんか抜き去ってくれたらいいな
GaN半導体がシリコン並みに高集積にできればいいのにGaNで10nmプロセスとか作れたら、シリコンよりはるかに高速になりそう
将来は、ダイヤモンド半導体やら、CNT素子とかの炭素系で
GaNの電子移動度はSiとほとんど変わらないから、パワー半導体には使えても高速化には向かないよ。高速向けなら、すでにRFで実績のあるGaAs。こっちはSiの6倍以上。そして、Siベースの半導体も、3nmプロセス以降はチャネルにGe(Siの4倍以上)やGaAsを採用することを検討されてます。
Siベース半導体のスイッチング速度、あるいは遮断周波数(fT)はずっと上がり続けてます。だから60GHzのミリ波対応のICなんかがSiで作れるわけで。商品としてのCPUのクロック周波数が上がらないのは、速度の問題と言うよりも電力の問題。
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弘法筆を選ばず、アレゲはキーボードを選ぶ -- アレゲ研究家
時代は変わった (スコア:0)
新プロセッサの話題なのに動作クロック周波数が従来品からどのくらい上がったかという話が一つもない 時代は変わった
Re: (スコア:0)
もう、トランジスタのスイッチング速度は上がらないでしょう。
同じようなプロセス使っている限り。
さあ、Intelよ、ブレークスルーを具現化して、AMDなんか抜き去ってくれ
たらいいな
Re: (スコア:0)
GaN半導体がシリコン並みに高集積にできればいいのに
GaNで10nmプロセスとか作れたら、シリコンよりはるかに高速になりそう
将来は、ダイヤモンド半導体やら、CNT素子とかの炭素系で
Re:時代は変わった (スコア:3, 参考になる)
GaNの電子移動度はSiとほとんど変わらないから、パワー半導体には使えても高速化には向かないよ。
高速向けなら、すでにRFで実績のあるGaAs。こっちはSiの6倍以上。
そして、Siベースの半導体も、3nmプロセス以降はチャネルにGe(Siの4倍以上)やGaAsを採用することを検討されてます。
Siベース半導体のスイッチング速度、あるいは遮断周波数(fT)はずっと上がり続けてます。
だから60GHzのミリ波対応のICなんかがSiで作れるわけで。
商品としてのCPUのクロック周波数が上がらないのは、速度の問題と言うよりも電力の問題。