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既にトランジスタは扱える電荷量ギリギリで動いている3値にするとスレッショルドは2つに増えて、ノイズに弱くなりエラー訂正回路が余計に必要になりトータルでペイしないかもね
アブストをちら見しただけだが、普通に言うトランジスタのスレッショルドは、一つのまま(それがこの論文の一番の売り)トランジスタがOFF状態であってもトンネル効果で定電流が流れてしまっているが、これを絞った状態をもう一つの値にするらしい。 -----まったくの想像だが、トランジスタとしては ON と OFF と 完全OFF、信号としては H (高い電圧)と L (低い電圧)と Z (一種のハイインピーダンス)があるのかも。
へーしかしリークを前提って製造工程の誤差や経年劣化、温度とかでなんか不幸なことにならんのだろうかそれこそ閾値の調整次第なんだろうけど
EEPROMとかフラッシュメモリ(FlashEEPROM)は絶縁膜をトンネル効果でリークさせて書き換えだけども。#リーク違い
まぁ現時点で使ってる奴にもリークがあるんなら現状で既にリーク前提かと。
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※ただしPHPを除く -- あるAdmin
ケチをつけるなら (スコア:2, 興味深い)
既にトランジスタは扱える電荷量ギリギリで動いている
3値にするとスレッショルドは2つに増えて、ノイズに弱くなり
エラー訂正回路が余計に必要になりトータルでペイしない
かもね
Re: (スコア:4, 興味深い)
アブストをちら見しただけだが、普通に言うトランジスタのスレッショルドは、一つのまま(それがこの論文の一番の売り)
トランジスタがOFF状態であってもトンネル効果で定電流が流れてしまっているが、これを絞った状態をもう一つの値にするらしい。
-----
まったくの想像だが、トランジスタとしては ON と OFF と 完全OFF、信号としては H (高い電圧)と L (低い電圧)と Z (一種のハイインピーダンス)があるのかも。
Re:ケチをつけるなら (スコア:0)
へー
しかしリークを前提って製造工程の誤差や経年劣化、温度とかでなんか不幸なことにならんのだろうか
それこそ閾値の調整次第なんだろうけど
Re: (スコア:0)
EEPROMとかフラッシュメモリ(FlashEEPROM)は絶縁膜をトンネル効果でリークさせて書き換えだけども。
#リーク違い
まぁ現時点で使ってる奴にもリークがあるんなら現状で既にリーク前提かと。