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東芝が48層構造を持つメモリ半導体「3次元フラッシュメモリ」を開発」記事へのコメント

  • by Anonymous Coward

    3月にサムスンガ32層、128Gbitを発表してたから、追随できないとやばいなと思ってた。
    しかし、こんなん実用化できるのかな。

    #明後日方向の痛いコメントはいらないのでよろしく

    • by Anonymous Coward on 2015年08月08日 15時26分 (#2861017)

      SamsungのV-NANDは既に商品として出て来ているわけで、出来なければ負けて退場するだけです。

      親コメント
      • by Anonymous Coward

        どこも3D化は開発してて、どこでプレーナ型から切り替えるかは単純にコストの問題。
        微細化に行き詰まった会社は先に3Dを量産するし、微細化を続けられた会社は3D商品化が後になる。

        Samsungは10nm前半の微細化は無理と判断して、先に3Dを量産した。
        東芝の方が微細化できる技術が進んでたため、3D化が後になっただけ。
        昔はシェアトップのSamsungと2位の東芝に大きな差があったけど、直近ではほぼ同じ。
        1位が逆転するのも時間の問題と思える。

        • by kentok (41940) on 2015年08月09日 10時34分 (#2861314)

          これが間違いだということだけは
          断言しておきます^^

          --
          -- 風は東京に吹いているか
          親コメント
          • by Anonymous Coward

            親コメントに価値がないということだけは
            断言しておきます^^

            • by Anonymous Coward

              間違いを正すことに情報量はありますん

              • by Anonymous Coward

                まさに至言?
                間違いを正すことには情報量がある。
                間違いの中身を指摘せず、"間違い"とだけ書くことには情報量はない。

              • by Anonymous Coward

                どこかに間違いが含まれているというだけでも情報量はゼロではないはずだが。まあ指摘内容に突っ込み返すのが不可能なように予防線張ってるか、自分も正解を(ことによったら本当に間違っているかどうかすら)知らないので誰か詳しい人に正しい内容を書かせようとしてるだけだと思うけどね。

              • by Anonymous Coward

                どこかに間違いが含まれているというのが真なら情報量ゼロじゃないですね。
                単なるスラドのIDコメントでは、その裏付けがないので価値なしですが。

                元のIDの最近のコメント見ると、見事に同じような内容ばかり。
                予防線とか正解書かせようとかそんな難しい話じゃなくて、知ったかぶりで適当に書いてるだけだと思う。

        • by Anonymous Coward

          思いっきり関係者なんで言えないけど、そんな簡単な話じゃないよ

          • by Anonymous Coward

            ACで語るか、IDで語らないなら意味が分かる。
            ACで語らないって、どういう価値があるので?

最初のバージョンは常に打ち捨てられる。

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