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100nmノードのフラッシュメモリのセル当たり電荷量が1fC.2GBで全電荷は10μCのオーダー.
電子の質量が9.eE-31kg,素電荷が1.6E-19Cだから,電子の質量は1E-13g程度と,意外に重いことがわかる.
一方,1E-18gの質量に対応するエネルギー(mC^2)は9E-5Jくらい.1Vの電圧でどの程度の電荷が移動したかというと,100μCのオーダーとなる.
たぶん,バークレーの先生は後者の計算を行ったのかな?
本を詰め込む前の段階で、ランダムデータが書き込まれている可能性は無いの?
ウェアレベリングで物理セルの状態は常時変化するから、ランダムデータが残ってる可能性は多分にあるね。
ま、コントローラの制御方式に寄るが、アクティブなガベージコレクションをするタイプだと、フリーエリアは、全域消去されているんで、今回の推測が妥当。
一方、消極的なガベージコレクションしかしないタイプだと、実書き込み回数が容量に達した時点で、全域がランダムデータになって、重さは変わらなくなるかと。
中間タイプだと、逆にデータが増えた方が軽くなる可能性もあるね。
フラッシュメモリに関しては、ない。しかし、あくまでフラッシュさせた後のまっさらな状態が基準。
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未知のハックに一心不乱に取り組んだ結果、私は自然の法則を変えてしまった -- あるハッカー
きちんと計算してみる (スコア:4, 興味深い)
100nmノードのフラッシュメモリのセル当たり電荷量が1fC.
2GBで全電荷は10μCのオーダー.
電子の質量が9.eE-31kg,素電荷が1.6E-19Cだから,
電子の質量は1E-13g程度と,意外に重いことがわかる.
一方,1E-18gの質量に対応するエネルギー(mC^2)は9E-5Jくらい.
1Vの電圧でどの程度の電荷が移動したかというと,100μCの
オーダーとなる.
たぶん,バークレーの先生は後者の計算を行ったのかな?
Re:きちんと計算してみる (スコア:0)
本を詰め込む前の段階で、ランダムデータが書き込まれている可能性は無いの?
Re:きちんと計算してみる (スコア:2)
ウェアレベリングで物理セルの状態は常時変化するから、ランダムデータが残ってる可能性は多分にあるね。
ま、コントローラの制御方式に寄るが、アクティブなガベージコレクションをするタイプだと、フリーエリアは、全域消去されているんで、今回の推測が妥当。
一方、消極的なガベージコレクションしかしないタイプだと、実書き込み回数が容量に達した時点で、全域がランダムデータになって、重さは変わらなくなるかと。
中間タイプだと、逆にデータが増えた方が軽くなる可能性もあるね。
-- Buy It When You Found It --
Re: (スコア:0)
フラッシュメモリに関しては、ない。
しかし、あくまでフラッシュさせた後のまっさらな状態が基準。