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相変化のために熱を発生させないといけないみたいなんだけど、これって集積すればするほど熱問題で頭を悩ますことになるんじゃないの？電力消費もバカにならないだろうし。相変化を起こすための熱をどれだけ抑えられるかがポイントなのかね。
と ReRAM 推進派が煽ってみる
PC watchの記事には、・原理的には、10nmを切る寸法まで微細化しても…・製造技術を20nm…設計ルールをFとすると、…試作したメモリセル面積は「4×(Fの2乗)」… 最先端DRAMのメモリセルの大きさは「6×(Fの2乗)」・書き換え時間…100ns…150ns…。書き換えに必要な電流は100μA…」とあります。
原理動作の限界に近いサイズで試作しており、セル面積がDRAMより小さい＝劇的な微細化はあまり期待出来ないことを意味しています。動作電圧と、必要な電流がセル１個当たりかどうか、論文を確認していませんが、チップ全体で100uAという事は無いでしょう。 とりあえず動作
＞計算の前提が間違っていると信じたいです。
計算の前提が間違っています。 8Gbitのメモリは8Gbitを一度に書き換えられるメモリではありません。100μAというのが何の電流を指しているかは良くわかりませんが、最大電流が流れる時間＝アクセス・タイムorサイクル・タイムでもありません。
不確かな推測に基づく談義は別として、消費電流・電源関係で本当に気になるのはPC Watchの記事に載っているチップ写真の「PUMPs」、「DC」と表記されているブロックが巨大なことです。 これらは書き込み用の昇圧回路（チャージポンプ、昇圧用コンデンサ）等と思われますが、とにかく大きい。 それだけ強力な電源が必要ということは、書き込み電流も大きいという推測が成り立ちます。他の周辺回路もかなり大きめで、チップに占めるメモリ・セルの割合（面積）が異様に小さいのですが、PRAMでは必然的にこうなってしまうものなのでしょうか？
ご指摘ありがとうございます。確かに、8Gbitを一度に書き換えする事はあり得ませんし、メモリのサイクルタイムを考えると、相当に遅くなる事は確かでした。全体の発熱量はちょっと大きいのでは？という単純な疑問から、あえて最大の数値を捻出するよう努力してしまいました。
いまだに原典に当たっておらず不確かな推測ですが。。。「昇圧回路」について、他の方も発熱量の計算に1V台の数値を書いていますが、nm単位のサイズのセルをusec以下の熱的緩和時間で、bit毎に書き換えするのですから、ヒーターに1Vも掛ける事は無いような気がします。
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ソースを見ろ -- ある4桁UID
Wikipedia の記述に依っていいなら (スコア:2)
相変化のために熱を発生させないといけないみたいなんだけど、
これって集積すればするほど熱問題で頭を悩ますことになるんじゃないの？
電力消費もバカにならないだろうし。
相変化を起こすための熱をどれだけ抑えられるかがポイントなのかね。
と ReRAM 推進派が煽ってみる
Re: (スコア:2)
コップ一杯の水を沸騰させるより、おちょこ一杯の水を沸騰させる方が楽なように。
いや、でも (スコア:1)
PC watchの記事には、
・原理的には、10nmを切る寸法まで微細化しても…
・製造技術を20nm…設計ルールをFとすると、…試作したメモリセル面積は「4×(Fの2乗)」…
最先端DRAMのメモリセルの大きさは「6×(Fの2乗)」
・書き換え時間…100ns…150ns…。書き換えに必要な電流は100μA…」
とあります。
原理動作の限界に近いサイズで試作しており、セル面積がDRAMより小さい＝劇的な微細化はあまり期待出来ないことを意味しています。
動作電圧と、必要な電流がセル１個当たりかどうか、論文を確認していませんが、チップ全体で100uAという事は無いでしょう。 とりあえず動作
Re:いや、でも (スコア:0)
＞計算の前提が間違っていると信じたいです。
計算の前提が間違っています。 8Gbitのメモリは8Gbitを一度に書き換えられるメモリではありません。
100μAというのが何の電流を指しているかは良くわかりませんが、最大電流が流れる時間＝アクセス・タイムorサイクル・タイムでもありません。
不確かな推測に基づく談義は別として、消費電流・電源関係で本当に気になるのはPC Watchの記事に載っているチップ写真の「PUMPs」、「DC」と表記されているブロックが巨大なことです。 これらは書き込み用の昇圧回路（チャージポンプ、昇圧用コンデンサ）等と思われますが、とにかく大きい。 それだけ強力な電源が必要ということは、書き込み電流も大きいという推測が成り立ちます。
他の周辺回路もかなり大きめで、チップに占めるメモリ・セルの割合（面積）が異様に小さいのですが、PRAMでは必然的にこうなってしまうものなのでしょうか？
Re:いや、でも (スコア:1)
ご指摘ありがとうございます。
確かに、8Gbitを一度に書き換えする事はあり得ませんし、メモリのサイクルタイムを考えると、相当に遅くなる事は確かでした。全体の発熱量はちょっと大きいのでは？という単純な疑問から、あえて最大の数値を捻出するよう努力してしまいました。
いまだに原典に当たっておらず不確かな推測ですが。。。
「昇圧回路」について、他の方も発熱量の計算に1V台の数値を書いていますが、nm単位のサイズのセルをusec以下の熱的緩和時間で、bit毎に書き換えするのですから、ヒーターに1Vも掛ける事は無いような気がします。