アカウント名:
パスワード:
相変化のために熱を発生させないといけないみたいなんだけど、これって集積すればするほど熱問題で頭を悩ますことになるんじゃないの?電力消費もバカにならないだろうし。相変化を起こすための熱をどれだけ抑えられるかがポイントなのかね。
と ReRAM 推進派が煽ってみる
PC watchの記事には、・原理的には、10nmを切る寸法まで微細化しても…・製造技術を20nm…設計ルールをFとすると、…試作したメモリセル面積は「4×(Fの2乗)」… 最先端DRAMのメモリセルの大きさは「6×(Fの2乗)」・書き換え時間…100ns…150ns…。書き換えに必要な電流は100μA…」とあります。
原理動作の限界に近いサイズで試作しており、セル面積がDRAMより小さい=劇的な微細化はあまり期待出来ないことを意味しています。動作電圧と、必要な電流がセル1個当たりかどうか、論文を確認していませんが、チップ全体で100uAという事は無いでしょう。 とりあえず動作
書き換えに必要な電流は普通は1セルあたりで書きます。ただし、同時に書き換えられるセル数には制限があるので、8Gbitだからと言って8G倍の消費電流にはなりません。
1.8V、100uAだとすると、セル1個当たりの書き込み電力が1.8V*100uA=180uW。ただ、昇圧して使ってるだろうから、実際にはこの何倍か必要。(とりあえずn倍とする。IEEExploreでまだ引っかからなかったので。)250nsで連続書き換えできると仮定すると、セル1個当たりの書き込み速度が1bit/250ns=4Mb/s。128個のセルを同時に書き換えるなら、180uW*n*128=23mW*n と 4Mb/s*128=64MB/s。
2.5インチのSSDを作るとしても、同じ速度の場合でNANDフラッシュよりは消費電力下がるんじゃないですかね。他の次世代メモリ(STT-MRAMとかReRAMとか)より帯域あたりの消費電力高そうなのは確かですが。
より多くのコメントがこの議論にあるかもしれませんが、JavaScriptが有効ではない環境を使用している場合、クラシックなコメントシステム(D1)に設定を変更する必要があります。
弘法筆を選ばず、アレゲはキーボードを選ぶ -- アレゲ研究家
Wikipedia の記述に依っていいなら (スコア:2)
相変化のために熱を発生させないといけないみたいなんだけど、
これって集積すればするほど熱問題で頭を悩ますことになるんじゃないの?
電力消費もバカにならないだろうし。
相変化を起こすための熱をどれだけ抑えられるかがポイントなのかね。
と ReRAM 推進派が煽ってみる
Re: (スコア:2)
コップ一杯の水を沸騰させるより、おちょこ一杯の水を沸騰させる方が楽なように。
いや、でも (スコア:1)
PC watchの記事には、
・原理的には、10nmを切る寸法まで微細化しても…
・製造技術を20nm…設計ルールをFとすると、…試作したメモリセル面積は「4×(Fの2乗)」…
最先端DRAMのメモリセルの大きさは「6×(Fの2乗)」
・書き換え時間…100ns…150ns…。書き換えに必要な電流は100μA…」
とあります。
原理動作の限界に近いサイズで試作しており、セル面積がDRAMより小さい=劇的な微細化はあまり期待出来ないことを意味しています。
動作電圧と、必要な電流がセル1個当たりかどうか、論文を確認していませんが、チップ全体で100uAという事は無いでしょう。 とりあえず動作
Re:いや、でも (スコア:3)
書き換えに必要な電流は普通は1セルあたりで書きます。
ただし、同時に書き換えられるセル数には制限があるので、8Gbitだからと言って8G倍の消費電流にはなりません。
1.8V、100uAだとすると、セル1個当たりの書き込み電力が1.8V*100uA=180uW。
ただ、昇圧して使ってるだろうから、実際にはこの何倍か必要。
(とりあえずn倍とする。IEEExploreでまだ引っかからなかったので。)
250nsで連続書き換えできると仮定すると、セル1個当たりの書き込み速度が1bit/250ns=4Mb/s。
128個のセルを同時に書き換えるなら、180uW*n*128=23mW*n と 4Mb/s*128=64MB/s。
2.5インチのSSDを作るとしても、同じ速度の場合でNANDフラッシュよりは消費電力下がるんじゃないですかね。
他の次世代メモリ(STT-MRAMとかReRAMとか)より帯域あたりの消費電力高そうなのは確かですが。