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相変化のために熱を発生させないといけないみたいなんだけど、これって集積すればするほど熱問題で頭を悩ますことになるんじゃないの?電力消費もバカにならないだろうし。相変化を起こすための熱をどれだけ抑えられるかがポイントなのかね。
と ReRAM 推進派が煽ってみる
PC watchの記事には、・原理的には、10nmを切る寸法まで微細化しても…・製造技術を20nm…設計ルールをFとすると、…試作したメモリセル面積は「4×(Fの2乗)」… 最先端DRAMのメモリセルの大きさは「6×(Fの2乗)」・書き換え時間…100ns…150ns…。書き換えに必要な電流は100μA…」とあります。
原理動作の限界に近いサイズで試作しており、セル面積がDRAMより小さい=劇的な微細化はあまり期待出来ないことを意味しています。動作電圧と、必要な電流がセル1個当たりかどうか、論文を確認していませんが、チップ全体で100uAという事は無いでしょう。 とりあえず動作
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一つのことを行い、またそれをうまくやるプログラムを書け -- Malcolm Douglas McIlroy
Wikipedia の記述に依っていいなら (スコア:2)
相変化のために熱を発生させないといけないみたいなんだけど、
これって集積すればするほど熱問題で頭を悩ますことになるんじゃないの?
電力消費もバカにならないだろうし。
相変化を起こすための熱をどれだけ抑えられるかがポイントなのかね。
と ReRAM 推進派が煽ってみる
Re: (スコア:2)
コップ一杯の水を沸騰させるより、おちょこ一杯の水を沸騰させる方が楽なように。
いや、でも (スコア:1)
PC watchの記事には、
・原理的には、10nmを切る寸法まで微細化しても…
・製造技術を20nm…設計ルールをFとすると、…試作したメモリセル面積は「4×(Fの2乗)」…
最先端DRAMのメモリセルの大きさは「6×(Fの2乗)」
・書き換え時間…100ns…150ns…。書き換えに必要な電流は100μA…」
とあります。
原理動作の限界に近いサイズで試作しており、セル面積がDRAMより小さい=劇的な微細化はあまり期待出来ないことを意味しています。
動作電圧と、必要な電流がセル1個当たりかどうか、論文を確認していませんが、チップ全体で100uAという事は無いでしょう。 とりあえず動作
Re:いや、でも (スコア:1)
100ns間隔で休まずアクセスすると100μW/100nsで 1mWです。
また、1回のアクセスで活性化するcellの数は数百程度のはずなので、全体では数百mw程度のはずです。
適当に計算したから間違ってるかもしれないですが。