パスワードを忘れた? アカウント作成
この議論は賞味期限が切れたので、アーカイブ化されています。 新たにコメントを付けることはできません。

Samsungが支援する韓国の研究グループ、3進法半導体を開発」記事へのコメント

  • by Anonymous Coward

    既にトランジスタは扱える電荷量ギリギリで動いている
    3値にするとスレッショルドは2つに増えて、ノイズに弱くなり
    エラー訂正回路が余計に必要になりトータルでペイしない
    かもね

    • by Anonymous Coward

      もっとおもくそ256段階ぐらいにして必要に応じて閾値決めるアーキテクチャとかできないかな

      • by Anonymous Coward on 2019年07月25日 19時44分 (#3658215)

        NANDフラッシュではすでに必要に応じてQLC/TLC/MLC/SLCの切り替えができるものがある。
        ていうかこれQLC/TLC/MLCと何が違うのかと思ったらNANDフラッシュに限らない技術なのか?

        親コメント
        • by Anonymous Coward

          信号を1Bitじゃなくて多値で扱うのはフラシュメモリ以外でも考えられてるよ。
          フラッシュメモリの場合は、多値を判定する回路が複雑になって大きくなっても、それにぶら下がるセルの数が多いので容量あたりの面積削減効果が大きい、というだけ。

        • by Anonymous Coward

          NANDフラッシュも似たようなものだが
          現状、エラー訂正回路入れて無理くり使っているのは
          意外に知られていないんだな
          NOR型だとそんなことは無いんだが
          裸デバイスのデータシート見てみればわかるよ

人生unstable -- あるハッカー

処理中...