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Samsungが支援する韓国の研究グループ、3進法半導体を開発」記事へのコメント

  • by Anonymous Coward

    既にトランジスタは扱える電荷量ギリギリで動いている
    3値にするとスレッショルドは2つに増えて、ノイズに弱くなり
    エラー訂正回路が余計に必要になりトータルでペイしない
    かもね

    • by Anonymous Coward on 2019年07月25日 18時10分 (#3658171)

      アブストをちら見しただけだが、普通に言うトランジスタのスレッショルドは、一つのまま(それがこの論文の一番の売り)
      トランジスタがOFF状態であってもトンネル効果で定電流が流れてしまっているが、これを絞った状態をもう一つの値にするらしい。
        -----
      まったくの想像だが、トランジスタとしては ON と OFF と 完全OFF、信号としては H (高い電圧)と L (低い電圧)と Z (一種のハイインピーダンス)があるのかも。

      親コメント
      • by Anonymous Coward

        へー
        しかしリークを前提って製造工程の誤差や経年劣化、温度とかでなんか不幸なことにならんのだろうか
        それこそ閾値の調整次第なんだろうけど

        • by Anonymous Coward

          EEPROMとかフラッシュメモリ(FlashEEPROM)は絶縁膜をトンネル効果でリークさせて書き換えだけども。
          #リーク違い

          まぁ現時点で使ってる奴にもリークがあるんなら現状で既にリーク前提かと。

目玉の数さえ十分あれば、どんなバグも深刻ではない -- Eric Raymond

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