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シリコンに比べて何がいいの?
技術的なコメント皆無ってのも悲しいので、遅ればせながら書いてみる。
この研究の背景には、ICの平面方向の微細化がそろそろ行き詰まりそうなので、3次元に積層しようって流れがあります。プレスリリースの左の図のように、縦方向に回路を積層するのが目標です。NANDフラッシュメモリでは、先行してSamsungが商品化していますが、ロジック回路ではまだ実現できていません。難しいのは、上の層に多結晶のMOS素子を作る際に高温の工程があるため、先に作った下の層に影響を与えてしまうためです。
この際、シリコンの多結晶で作る場合は1000度近い温度が必要ですが、ゲルマニウムの多結晶なら500度以下で実現できるのが利点です。また、多結晶は単結晶に比べてキャリア移動度が低くなりますが、シリコンよりもゲルマニウムの方がキャリア移動度が高いため、多結晶で作る際の性能が高くできると期待できます。
では、この技術ですばらしい製品を実現できそうか?というとそれはまだ無理です。今回の発表で、多結晶ゲルマニウム自体のキャリア移動度は、既に単結晶シリコン並にまで実現できています。ただし、それを用いて作ったMOSFETの性能(飽和電流)は従来の10倍に改善したようですが、それでも単結晶シリコンの1/10です。ON/Off比も10^3程度に改善はしていますが、まだまだリークが大きすぎて大規模な回路を作れるレベルでは無いです。ゲルマニウムの場合、MOSを構成するための酸化膜を作るのが難しいらしいので、そこがネックなのかも知れません。
むしろ現在多結晶シリコンを使っている用途、低温ポリシリコンのTFTパネルとかを置き換えられると面白いんじゃ無いかと思いますが、コスト面で厳しいでしょうね。
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アレゲは一日にしてならず -- アレゲ見習い
ゲルマニウムの利点がよくわからない (スコア:0)
シリコンに比べて何がいいの?
Re:ゲルマニウムの利点がよくわからない (スコア:2)
技術的なコメント皆無ってのも悲しいので、遅ればせながら書いてみる。
この研究の背景には、ICの平面方向の微細化がそろそろ行き詰まりそうなので、3次元に積層しようって流れがあります。
プレスリリースの左の図のように、縦方向に回路を積層するのが目標です。
NANDフラッシュメモリでは、先行してSamsungが商品化していますが、ロジック回路ではまだ実現できていません。
難しいのは、上の層に多結晶のMOS素子を作る際に高温の工程があるため、先に作った下の層に影響を与えてしまうためです。
この際、シリコンの多結晶で作る場合は1000度近い温度が必要ですが、ゲルマニウムの多結晶なら500度以下で実現できるのが利点です。また、多結晶は単結晶に比べてキャリア移動度が低くなりますが、シリコンよりもゲルマニウムの方がキャリア移動度が高いため、多結晶で作る際の性能が高くできると期待できます。
では、この技術ですばらしい製品を実現できそうか?というとそれはまだ無理です。
今回の発表で、多結晶ゲルマニウム自体のキャリア移動度は、既に単結晶シリコン並にまで実現できています。
ただし、それを用いて作ったMOSFETの性能(飽和電流)は従来の10倍に改善したようですが、それでも単結晶シリコンの1/10です。ON/Off比も10^3程度に改善はしていますが、まだまだリークが大きすぎて大規模な回路を作れるレベルでは無いです。
ゲルマニウムの場合、MOSを構成するための酸化膜を作るのが難しいらしいので、そこがネックなのかも知れません。
むしろ現在多結晶シリコンを使っている用途、低温ポリシリコンのTFTパネルとかを置き換えられると面白いんじゃ無いかと思いますが、コスト面で厳しいでしょうね。