「カーボン・ナノチューブ、 45nm以降は銅配線よりも有効に」記事へのコメント

構想は良いのだけど

[bochi-bochi (4490)]

応用の実現例が少ない気がします＞ＣＮＴ
現在の問題はどういうところにあるのでしょうか？

チューブが長さ無制限で生成できるようになる日を
首を長くして待っています。はい。

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〜後悔先に立たず・後悔役に立たず・後悔後を絶たず〜

現状は知りませんが

[Jubilee (20038)]

>チューブが長さ無制限で生成できるようになる日

それはもしかして軌道エレベータ用ですか？

独立行政法人産業技術総合研究所がこんなプレスリリース出してます。http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2007/pr20070207/pr20070207.html [aist.go.jp]

用途は活性炭に代わる電気二重層キャパシタの電極素材だとか。

産総研の「スーパーグロース法」はCVD法の一種ですが、ミリ単位のCNTを短時間にグラム単位で合成できるそうですから、ナノじゃなくてマイクロの材料として使えるのかな？

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Jubilee

理論から量産までの総合力での勝負になりそう（Re:現状は知りませんが

[Artane. (1042)]

リンク先 [aist.go.jp]から。

これまでスーパーグロース法は高価なシリコン基板を用いて単層カーボンナノチューブを合成していたが、今回、安価なニッケル合金基板上での合成に成功した。さらに、日本ゼオンと共同で、今回開発した技術を適用できる合成炉を設計・試作し、A4サイズの金属板の全面に均一な単層カーボンナノチューブ構造体を合成することに成功した。これは成長面積として従来の100倍のスケールアップであり、生産量はグラム単位である。

単純に集積回路の基板素材の代表的な物の一つであるシリコンウェハ上での生成を既に成し遂げているようですから、問題は基板の上に焼き付けられる半導体薄膜を傷つけずに高温雰囲気下でCNT配線するか薄膜として一旦焼き付けてから何らかの手段で余計な大半のNCTを除去する生産方法が確立できるかどうかにかかっていそうですね。

# そうなると、今までの手法だと配線となるCNTと素子として機能するドープ素材 [wikipedia.org]や半導体薄膜やSOI工程 [wikipedia.org]などでの絶縁体薄膜
# との相性問題が出そうだな(;´Д`)特に基板直上のCNT生成層の相性が歩留まりの足を引っ張る悪寒が…

産総研が開発したCNTの合成法 [aist.go.jp]は、生成温度を500～1,200℃と規定していますから、この温度設定を上手くやれば半導体基板自体は無問題で済みそうな感じがします。

どちらかというと数段繊細な絶縁膜がCNT生成雰囲気下の高温度で特性を損なわないという担保が必要そうな…(;´Д`)

この領域になると、純粋な化学屋や研究者というよりは生産技術屋の領域に近くなってくると思いますよ。
多分、今のようなフォトエッチング法だとCNT薄膜からのCNT配線の生成は困難でしょうから、集積回路生産の工程全般を見直す必要が出る。

研究所レベルでがどれだけ特性のいいものを作れても、集積回路の場合には出来るだけ大きなウェハ上でまともに動くチップの歩留まりの方が売り物作るときにはえてして判断材料になりますから、生産技術の部門の基礎技能や技術蓄積と研究開発グループとの連携が取れないと歩留まり上げられずに計画放棄の憂き目に遭う企業が続出しそう
…航空宇宙分野の軍事部門のコア電子部品とか極めてロット数が少なくても高く売れる、ある程度度外視できる分野から先に実用化されるんでしょうね。

　汎用MPUやASSPのようなマスプロ製品で普通に見かけるようになるのはかなり先になりそうな。
　CNT配線にしてもSiC [nikkeibp.co.jp]基板上の大規模集積回路にしても、半導体の最大の問題である発熱や無駄に消費する電力で決定的なブレークスルーを起こし得る素材要素で、夢がありますから何とか何処かが物にしてセカンドソース生産権を安めにばらまいて欲しいです…。